RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
66
En -78% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2836
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link