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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
66
En -288% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
17
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3714
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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