RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
66
En -247% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
19
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3499
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link