RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,978.2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
66
Около -247% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
19
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
3499
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link