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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
59
En -228% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
18
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3663
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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