SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 21.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 17.7

Среднее значение в тестах

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 59

Около -228% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 18
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 21.2
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 3663

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

AMD R7416G2400U2S 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM