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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
59
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2471
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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