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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
59
En -74% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2468
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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