RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2468
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link