RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2468
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link