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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
59
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.5
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
1925
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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