RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,658.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,216.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,658.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
688
2960
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link