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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
60
En -22% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
49
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2668
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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