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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
60
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.9
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
51
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
9.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2314
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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