RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
60
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.9
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
51
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2314
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link