RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
60
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
48
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2466
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link