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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Pontuação geral
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    5 left arrow 11.6
    Valor médio nos testes
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    48 left arrow 60
    Por volta de -25% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 2,381.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    60 left arrow 48
  • Velocidade de leitura, GB/s
    5,082.2 left arrow 11.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,381.6 left arrow 8.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    925 left arrow 2466

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM

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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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