RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
44
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
39
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2478
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link