RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
44
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
37
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2971
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link