RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
1728
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link