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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
49
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
49
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2668
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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