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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
51
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
51
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2570
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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