RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
51
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
51
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2570
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link