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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
46
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
46
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2632
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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