RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
117
En -516% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
3435
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link