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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,303.7
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
117
左右 -516% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
117
19
读取速度,GB/s
3,094.8
19.5
写入速度,GB/s
2,303.7
15.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3435
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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