RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,303.7
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
117
Por volta de -516% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
117
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,094.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,303.7
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
3435
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link