RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
63
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
52
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
2236
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link