RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
63
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2236
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link