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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
63
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,583.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
52
读取速度,GB/s
3,895.6
10.5
写入速度,GB/s
1,583.7
7.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
639
2236
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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