RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
54
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,781.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,269.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,781.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
618
2641
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link