RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
63
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3313
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link