RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3344
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link