RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
63
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2760
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link