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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
63
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
62
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2710
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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