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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
71
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
71
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1650
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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