RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1650
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link