Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 71
    Wokół strony 49% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.3 left arrow 6.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 15
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.0 left arrow 15.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.3 left arrow 6.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2569 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania