Confronto tra le RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 71

Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.3 6.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 15

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 17000

Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2569 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns