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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
104
En -167% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2443
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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