RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
63
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2358
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link