RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
63
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2358
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link