RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
63
En -215% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3506
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link