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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
63
En -271% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
17
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3829
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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