RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
56
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3367
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link