RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
56
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3367
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link