RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
56
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
31
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3367
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link