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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,387.7
20.6
写入速度,GB/s
1,813.5
14.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3367
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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