RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3171
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link