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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
63
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2727
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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