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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3167
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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