RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
51
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link